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開爾文四線法（Kelvin Four-Wire Measurement）是一種高精度測(cè)量低電阻（通常低于1Ω）的技術(shù)，其核心原理是通過分離電流激勵(lì)與電壓檢測(cè)回路，消除測(cè)試引線和接觸電阻的影響，從而顯著提升測(cè)量精度。以下是其工作原理的詳細(xì)說明：
在普通二線制測(cè)量中，電流激勵(lì)（I）與電壓檢測(cè)（V）共用同一對(duì)導(dǎo)線。此時(shí)，引線電阻（Rlead）和接觸電阻（Rcontact）會(huì)與待測(cè)電阻（RDUT）串聯(lián)，導(dǎo)致測(cè)量值偏高：
Rmeasured=RDUT+2(Rlead+Rcontact)
當(dāng)RDUT為毫歐級(jí)時(shí)，引線電阻（可能達(dá)數(shù)十毫歐）會(huì)引入顯著誤差。
四線法通過獨(dú)立分開電流路徑與電壓路徑，徹底消除引線和接觸電阻的影響：
1. 電流激勵(lì)回路：
☆ 使用一對(duì)導(dǎo)線（C1、C2）向待測(cè)電阻（RDUT）施加恒定電流I。
☆ 引線電阻Rlead-C1 、Rlead-C2 和接觸電阻Rcontact-C1、Rcontact-C2 會(huì)影響電流大小，但現(xiàn)代恒流源可自動(dòng)補(bǔ)償，確保I穩(wěn)定。
2. 電壓檢測(cè)回路：
☆ 使用另一對(duì)高阻抗導(dǎo)線（P1、P2）直接測(cè)量RDUT兩端的電壓V。
☆ 由于電壓表輸入阻抗極高（通常>10MΩ），流經(jīng)電壓引線的電流趨近于零，因此引線電阻（Rlead-P1、Rlead-P2 ）和接觸電阻（Rcontact-P1、Rcontact-P2 ）不會(huì)產(chǎn)生額外壓降。
3. 電阻計(jì)算：
RDUT=V/I
僅反映RDUT的真實(shí)值，與引線電阻無關(guān)。
1. 物理分離電流與電壓端子：
在待測(cè)電阻上設(shè)置獨(dú)立的電流端（C1、C2）和電壓端（P1、P2），避免電流路徑與電壓路徑重疊。
2. 高阻抗電壓測(cè)量：
☆ 電壓表的輸入阻抗需遠(yuǎn)大于RDUT（通常要求>1000倍），確保檢測(cè)回路電流可忽略不計(jì)。
3. 低噪聲與屏蔽：
☆ 電壓檢測(cè)線需采用屏蔽線，減少電磁干擾（EMI）對(duì)微小電壓信號(hào)的影響。
4. 恒流源穩(wěn)定性：
☆ 電流源的輸出精度和穩(wěn)定性直接影響測(cè)量結(jié)果，尤其在測(cè)量超低電阻（如μΩ級(jí)）時(shí)需選用高精度源。
1. 電池內(nèi)阻測(cè)試：
☆ 精確測(cè)量鋰離子電池的毫歐級(jí)內(nèi)阻，評(píng)估健康狀態(tài)（SOH）。
2. PCB走線電阻測(cè)量：
☆ 檢測(cè)電路板中接地路徑或電源路徑的導(dǎo)通電阻。
3. 精密電阻校準(zhǔn)：
☆ 校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)電阻（如0.1Ω、1Ω標(biāo)準(zhǔn)電阻）的阻值。
4. 半導(dǎo)體器件測(cè)試：
測(cè)量MOSFET的RDS(on)或IGBT的導(dǎo)通電阻。
參數(shù) | 二線法 | 四線法 |
適用電阻范圍 | >10Ω | <1Ω（尤其μΩ~mΩ級(jí)） |
誤差來源 | 引線電阻、接觸電阻 | 幾乎無引線/接觸電阻影響 |
測(cè)量精度 | 低（受引線限制） | 高（可達(dá)0.01%或更高） |
設(shè)備復(fù)雜度 | 簡(jiǎn)單 | 需專用四線測(cè)試儀或夾具 |
1. 接線：
☆ 電流端C1、C2連接導(dǎo)線兩端，通入恒定電流I=1A。
☆ 電壓端P1、P2緊貼導(dǎo)線兩端（避開電流端子），測(cè)量電壓V=0.002V。
2. 計(jì)算：
RDUT=0.002?V/1?A=2?mΩ
即使引線電阻為50mΩ，測(cè)量結(jié)果仍精確為2mΩ。
☆ 接觸點(diǎn)清潔：電壓端子需緊密接觸被測(cè)點(diǎn)，避免氧化層引入接觸電阻。
☆ 熱電勢(shì)補(bǔ)償：在μΩ級(jí)測(cè)量中，不同金屬接觸可能產(chǎn)生熱電勢(shì)，需采用反向電流法或自動(dòng)偏移補(bǔ)償技術(shù)。
☆ 電流選擇：電流過大會(huì)導(dǎo)致被測(cè)電阻發(fā)熱，改變阻值；過小則電壓信號(hào)微弱，易受噪聲干擾。
☆ 通過開爾文四線法，工程師能夠以亞毫歐級(jí)精度測(cè)量低電阻值，為高可靠性電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)、電池管理和精密制造提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支持。
